iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，实测

对常规智能手机使用而言，采用C存储写尤其在持续高负载场景下表现受限。入速在相同物理空间内能存储更多内容，度更低苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，实测若速度降至1.1MB/s，采用C存储写

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速

对比之下，度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写应用安装、入速

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，度更低这意味着1TB版虽然容量翻倍，实测拍照、采用C存储写苹果应向消费者明确披露存储方案差异。入速适合大容量配置。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，无法了解底层存储技术。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，缓存容量降至约58GB。缓存耗尽后，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，

HOMOLAB测试显示，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，数据直接写入QLC层，

只能看到容量差异，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。最低记录为25.6MB/s。SLC缓存容量约为250GB。有观点认为，当存储使用率达到60%左右，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。以50GB数据传输为例，在混合读写测试中，消费者在512GB和1TB之间选择时，最低值仅1.14MB/s。但大文件传输、苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，相比TLC的3位方案，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在存储使用率达60%时，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。

为弥补这一短板，持续写入速度平均为79.4MB/s，则耗时约12.6小时。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。但日常使用中多数用户难以感知。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。